GaAs

Исследование поверхности, оптических и электрических свойств гетероструктур с квантовыми точками (КТ) на основе полупроводниковых соединений А3В5, полученных методом самоорганизованного роста при МОС-гидридной эпитаксии

Участники проекта: НИФТИ ННГУ, ФФ ННГУ, НОЦ ННГУ 

Руководитель проекта: к.ф.-м.н. Б.Н.Звонков, зав. лаб. эпитаксиальной технологии (ЭТ) НИФТИ ННГУ.

к.ф.-м.н. Б.Н. Звонков,
зав. лаб. эпитаксиальной
технологии (ЭТ) НИФТИ ННГУ

д.ф.-м.н., профессор
И.А. Карпович,
ФФ ННГУ, каф. ФПО

Исполнители:
Старший научный сотрудник, к.ф.-м.н. Н.В. Байдусь — НИФТИ ННГУ, лаб. ЭТ,
Старший преподаватель, к.ф.-м.н. Д.О.Филатов — ФФ ННГУ, НОЦ СЗМ,
Аспиранты: С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Е.Л. Шоболов (Руководитель — д.ф.-м.н., проф. И.А. Карпович),
Студенты: А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков (Руководитель — проф И.А. Карпович), А.В. Здоровейщев (Руководитель — к.ф.-м.н. Н.В. Байдусь).

Основные цели и направления работы:

· Развитие технологии МОС-гидридной эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками типа GaAs/InGaAs в направлении повышения однородности и увеличения поверхностной плотности квантовых точек, смещения линии излучения в длинноволновую область.
· Развитие и усовершенствование методов исследования морфологии и фотоэлектронных свойств квантово-размерных гетероструктур.
· Установление связи фотоэлектронных свойств гетероструктур с квантовыми точками типа GaAs/InGaAs с морфологией, химическим составом, геометрической структурой и технологическими параметрами получения структур методом MOVPE.
· Изучение особенностей процессов образования и пассивации дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками, связанных с их неоднородностью, наличием полей упругих напряжений и электрических полей.

Основные результаты, полученные в 1999 2001 гг:

1. Показано, что изовалентное легирование висмутом слоя квантовых точек (КТ) InAs в процессе его осаждения в гетероструктурах GaAs/InAs, получаемых газофазной МОС-гидридной эпитаксией (ГФЭ МОС), подавляет коалесценцию нанокластеров и способствует росту более однородных квантовых точек (рис. 1). Сам висмут практически не входит в состав квантовых точек, а действует как сурфактант. Его роль состоит в основном в ограничении миграционной подвижности атомов на поверхности растущего слоя. В легированных структурах получены фотолюминесценция и селективная фоточувствительность от квантовых точек на длинах волн до 1.46 мкм с шириной линии до 25 мэВ при комнатной температуре (рис. 2). Псевдоморфный рост относительно крупных кластеров-КТ при ГФЭ МОС, излучающих в практически важной для оптоэлектроники спектральной области, объяснены образованием переходного слоя твердого раствора на гетерогранице квантовых точек GaAs/InAs в результате диффузионного перемешивания компонентов.

Опубликовано:

B N Zvonkov, I A Karpovich, N V Baidus, D O Filatov, S V Morozov and Yu Yu Gushina. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs Nanotechnology, 2000, 11, Р. 221-226.


Рис. 1. АСМ изображения выращенных на поверхности слоев КТ: слева нелегированный слой КТ, справа - легированный Bi слой КТ. (размер кадра 1х1 мкм).

Опубликовано:

B N Zvonkov, I A Karpovich, N V Baidus, D O Filatov, S V Morozov and Yu Yu Gushina. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs Nanotechnology, 2000, 11, Р. 221-226. 

Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией. ФТП, 2001, 35, с. 92-97.  



Рис. 2. Спектры фотоэлектрической чувствительности гетероструктур с КТ InAs/GaAs (300 К): 1-слой КТ, легированный Bi, 2-нелегированный слой КТ.



1. Методом ГФЭ МОС получены гетероструктуры GaAs/InGaAs с комбинированными слоями квантовых ям и точек различной конфигурации КТ/КЯ, КЯ/КТ, КЯ/КТ/КЯ (первым указан внешний слой) и исследованы их спектры фотолюминесцеции и конденсаторной фотоэдс. В отличие от структур, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией, в исследованных структурах красное смещение энергии основного перехода в квантовых точах при объединениии слоев КТ и КЯ оказалось относительно малым (<30 мэВ), что объяснено наличием на гетерогранице квантовых точек переходного слоя, играющего роль внешней квантовой ямы. С помощью методов фотоэлектрической спектроскопии впервые обнаружено красное смещение (~100 мэВ) спектра фоточувствительности от внешней квантовой ямы в комбинированных слоях. Показано, что оно обусловленное гибридизацией энергетического спектра внешней квантовой ямы и квантовой ямы смачивающего слоя InAs.

Опубликовано:

И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин Исследование морфологии и фотоэлектронных свойств гетеронаноструктур GaAs/InGaAs с комбинированными слоями квантовых ям и самоорганизованных квантовых точек. Поверхность, 2000, № 11.


Рис. 3. Спектры фотолюминесценции (PL, 77Л) и фотоэлектрической чувствительности (CPV, 300K) комбинированных наноструктур GaAs/InGaAs с КЯ и КТ.

Опубликовано:

И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин Исследование морфологии и фотоэлектронных свойств гетеронаноструктур GaAs/InGaAs с комбинированными слоями квантовых ям и самоорганизованных квантовых точек. Поверхность, 2000, № 11.


Рис. 4. Спектры фотоэлектрической чувствительности наноструктур GaAs/InGaAs с поверхностными квантоворазмерными слоями.

2. Показано, что фотовольтаический эффект в переходе полупроводник/электролит является эффективным методом изучения энергетического спектра гетероструктур с самоорганизованными квантовыми точками InAs/GaAs (Рис. 5). Важным достоинством метода является высокая чувствительность, позволяющая получать фотоэлектрические спектры от квантовых точек с потенциальными барьерами для эмиссии электронов и дырок из квантовых точек в матрицу и при низкой поверхностной плотности КТ (~109 см-2). Применение этого метода к КРС открывает новые возможности исследования дефектообразования и пассивации дефектов в КРС при фотоэлектрохимических реакциях на их поверхности с контролем in situ этих процессов методами фотоэлектронной спектроскопии (фотолюминесценции и фотоэлектрического эффекта). Кроме того, этот метод открывает перспективы модификации поверхности КРС посредством фотоэлектрохимических реакций.

Опубликовано:

И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, А.П. Горшков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Д.О. Филатов. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит. ФТП, 2001, 35, с. 564-570.  


Рис. 5. Электролитическая ячейка для исследования фотоэлектрических спектров в системе полупроводник/электролит.

3. Разработана методика исследования спектров фотолюминесценции ГКТ InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит при комнатной температуре, перспективная для исследования in situ процессов дефектообразования и пассивации ловушек при фотоэлектрохимических реакциях на поверхности структур. Этим методом обнаружено красное смещение спектров ФЛ при стравливании покровного слоя, связанное с релаксацией упругих напряжений. Стравливание покровного слоя уменьшает упругие напряжения в КТ, что приводит к красному смещению спектра фотолюминесценции и уменьшению интенсивности в связи с усилением канала поверхностной безизлучательной рекомбинации в КТ

Не опубликовано


Рис. 6. Эволюция спектров ФЛ структуры с КТ в процессе удаления покровного слоя.

4. Был разработан метод выявления зарощенных КТ путем удаления покровного слоя методом селективного химического травления. Показано, что при этом геометрические параметры вытравленных КТ (размеры и концентрация) мало отличаются от параметров поверхностных КТ, выращенных при тех же условиях. Кроме того концентрация точек хорошо согласуется с концентрацией встроенных КТ, оцененной по спектрам фоточувствительности. При этом в процессе травления происходит красное смещение спектров фотолюминесценции и фотоэлектрической чувствительности КТ, характерное для поверхностных КТ (). Оно объясняется релаксацией упругих напряжений в КТ без покровного слоя. Однако детальное сравнение параметров поверхностных КТ, выявленных избирательным химическим травлением (ВКТ), с параметрами выращенных поверхностных КТ (ПКТ) показало и некоторые характерные отличия между ними. Так, поверхностная концентрация ВКТ обычно в два-три раза превышает концентрацию ПКТ, что можно объяснить тем, что нанесение покровного слоя препятствует коалесценции нанокластеров. ВКТ обычно имеют несколько меньшую высоту, но больший размер основания.

Опубликовано:

I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev, A.V. Zdoroveishev, V.A. Perevoshikov, Investigation of the Buried InAs/GaAs Quantum Dots by Atom Force Microscopy Combined with Selective Chemical Etching. Phys. Low-Dim. Struct. 2001. ¾. P 341-348.


Рис. 7. Эволюция поверхности гетероструктуры с зарощенными КТ в процессе удаления покровного слоя методом селективного химического травления.

Опубликовано:

I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev, A.V. Zdoroveishev, V.A. Perevoshikov, Investigation of the Buried InAs/GaAs Quantum Dots by Atom Force Microscopy Combined with Selective Chemical Etching. Phys. Low-Dim. Struct. 2001. ¾. P 341-348.


Рис. 8. Эволюция спектров фотоэлектрической чувствительности гетероструктуры с КТ в процессе удаления покровного слоя (1 – исходный, 2 – 15 мин. травления, 2 – 30 мин. травления, 3 – 45 мин. травления, 4 – 60 мин. травления).

5. Исследована зависимость электрических и фотоэлектрических характеристик, а также чувствительности к водороду диодных МОП (металл-оксид-полупроводник) структур Pd/анодный оксид GaAs/слой GaAs с квантовыми ямами(КЯ) InGaAs и квантовыми точками (КТ) InAs от толщины анодного оксида и слоя Pd. Определена оптимальная для водородных сенсоров толщина анодного оксида (~5 нм). Установлено существенное влияние металлических мостиков в тонких (до 8 нм) слоях оксида на вольтамперные характеристики структур. Показано, что квантовые ямы, задерживая диффузию водорода в объем, в несколько раз повышают чувствительность структур к водороду. Методами фотоэлектрической и фотолюминесцентной спектроскопии с использованием КЯ как зондов-индикаторов дефектов обнаружено и исследовано образование дефектов при нанесении Pd электрода на естественную и окисленную поверхность GaAs, связанное с химическим взаимодействием Pd и GaAs (при нанесении Au дефекты не образуются). Показано, что дефектообразование уменьшается при увеличении толщины анодного оксида и уменьшении толщины слоя Pd. Установлено, что дефекты не проникают дальше ближайшей к поверхности КЯ. В структурах с комбинированными слоями КЯ/КТ слой КЯ полностью экранирует слой КТ от проникновения в него генерирцемых на поверхности дефектов. Установлена возможность пассивации дефектов в диодных структурах путем введения атомарного водорода через Pd электрод при обработке структур в атмосфере обычного молекулярного водорода.

Основные публикации:

Статьи:

1. B N Zvonkov, I A Karpovich, N V Baidus, D O Filatov, S V Morozov and Yu Yu Gushina. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs Nanotechnology, 2000, 11, Р. 221-226.  
2. Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, Ю.Ю. Гущина, И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев. Исследование процесса заращивания нанокластеров InAs в гетероструктурах InAs/GaAs. Поверхность, 2000, №7.
3. И.А. Карпович, Д.О. Филатов, С.В. Морозов, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Ю.Ю. Гущина. О связи спектров фотоэлектрической чувствительности и фотолюминесценции с геометрическими параметрами слоя квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs. Известия АН, сер. Физическая, 2000, т.63, №2, с. 331-337.
4. Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией. ФТП, 2001, 35, с. 92-97.  
5. И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин Исследование морфологии и фотоэлектронных свойств гетеронаноструктур GaAs/InGaAs с комбинированными слоями квантовых ям и самоорганизованных квантовых точек. Поверхность, 2000, № 11.
6. И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, А.П. Горшков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Д.О. Филатов. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит. ФТП, 2001, 35, с. 564-570.  
7. I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev, A.V. Zdoroveishev, V.A. Perevoshikov, Investigation of the Buried InAs/GaAs Quantum Dots by Atom Force Microscopy Combined with Selective Chemical Etching. Phys. Low-Dim. Struct. 2001. ¾. P 341-348.

Тезисы докладов

1. И.А. Карпович, С.Б. Левичев, Б.Н. Звонков, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин, Д.О. Филатов. Исследование морфологии и фотоэлектронных свойств гетеронаноструктур GaAs/InGaAs с комбинированными слоями квантовых ям и самоорганизованных квантовых точек. Материалы совещания «Зондовая микроскопия-2000». Н. Новгород, 28 февраля-2 марта 2000 г., с. 31-34. 

2. Б.Н. Звонков, Н.В. Байдусь, И.А. Карпович, С.В. Морозов, Д.О. Филатов, Ю.Ю. Гущина. Влияние легирования слоя квантовых точек висмутом на морфологию и фотоэлектроннные свойства гетеронаноструктур GaAs/InAs, полученных МОС гидридной эпитаксией. . Материалы совещания «Зондовая микроскопия-2000». Н. Новгород, 28 февраля-2 марта 2000 г., с. 171-175.  

3. Н.В.Байдусь, Б.Н.Звонков Д.О.Филатов, Ю.Ю.Гущина И.А.Карпович, А.В.Здоровейщев. Исследование процесса заращивания нанокластеров InAs/GaAs — Материалы Международного рабочего совещания "Зондовая микроскопия-99" (Н.Новгород, 10-14 марта 1999 г.), с. 164-166.  

4. Н.В. Байдусь, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, Д.О. Филатов. Исследование процессов самоорганизации квантовых точек InAs/GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении методом спектроскопии фотолюминесценции — Материалы Всероссийского рабочего совещания "Нанофотоника-99" (Н.Новгород, 15-18 марта 1999г.), с. 242-245. 

5. И.А.Карпович, Д.О.Филатов, С.В.Морозов, Н.В.Байдусь, Б.Н.Звонков, Ю.Ю.Гущина. О связи спектров фотоэлектрической чувствительности и фотолюминесценции с геометрическими параметрами слоя квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs — Всероссийское рабочее совещание "Нанофотоника-99" (Н.Новгород, 15-18 марта 1999г.), с. 130-133. 

6. I.A.Karpovich, B.N.Zvonkov, N.V.Baidus, D.O.Filatov, Yu.Yu.Gushina, S.V.Morozov. Self-Organized InGaAs/GaAs Quantum Wire Nanostructures Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy — 7th Int. Symp. “Nanostructures: Physycs and Technology” St. Peterburg, Russia, June 14-18, 1999, P .

7. B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morozov, and Yu.Yu. Gushina. The influence of Bi doping of the InAs/GaAs quantum dots on morphology and photoelectronic properties of the heterostructures obtained by MOVPE. 8th Int. Symp. “Nanostructures: Physycs and Technology” St. Peterburg, Russia, June 19-23, 2000, P 106-108.

8. I.A. Karpovich, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev,.N.V. Baidus, and S.M. Nekorkin. Photoelectronic properties of InAs/GaAs nanostructures with combined quantum well and quantum dot layers grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy. 8th Int. Symp. “Nanostructures: Physycs and Technology” St. Peterburg, Russia, June 19-23, 2000, P. 413-415.

9. I A Karpovich, N V Baidus, B N Zvonkov, S V Morozov, D O Filatov and A V Zdoroveishev. Morphology and photoelectronic properties of the InAs/GaAs surface quantum dots grown by Vapor Phase Epitaxy. 9th Int. Symp. “Nanostructures: Physycs and Technology” St. Peterburg, Russia, June 19-23, 2000, P.

10. B N Zvonkov, I A Karpovich, N V Baidus, D O Filatov, Yu Yu Gushina, S V Morozov and S B Levichev. Extremely uniform InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.46 mm at room temperature grown by MOCVD with Bi doping. Proc. 25th Int. Conf. Phys. Semicond., Osaka 17-22 September 2000, (Eds. N. Miura and T. Ando), Part 1, P. 397-398.

11. И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Д.О. Филатов. Оптические и фотоэлектрические свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек. Вторая международная конференция “Фундаментальные проблемы физики”. Саратов, Россия, 9 14 октября 2000. Материалы конференции, с. 92.

12. И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков. Влияние водорода на свойства диодных структур с напряженными квантовыми ямами и точками Pd/GaAs/ InGaAs. Вторая международная конференция “Фундаментальные проблемы физики”. Саратов, Россия, 9 14 октября 2000. Материалы конференции, с. 92.

13. И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/ InGaAs и островковым слоем Pd на поверхности. Вторая международная конференция “Фундаментальные проблемы физики”. Саратов, Россия, 9 14 октября 2000. Материалы конференции, с. 93.

14. S.B. Levichev, I.A. Karpovich, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov. Photoelectric spectroscopy of InGaAs/GaAs nanostructures with combined quantum wells and quantum dots. Abstracts of the International Yang Scientist Conferens “Scientific Problems of Optics in XXI Century (SPO 2000)”. Kyiv, Ukraine, October 5-6, 2000, P. 23.

15. I.A. Karpovich, S.B. Levichev, A.V. Zdoroveishev, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, V.A. Perevoshikov, D.O. Filatov. Investigation of the buried InAs/GaAs quantum dots by SPM combined with selective chemical etcying. Proc. Scfnning Probe Microscopy –2001. International Workshop. Nizhny Novgorod. Febr. 26 – March 1, 2001 Р. 14-16. 

16. И.А. Карпович, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит. Нанофотоника. Материалы совещания. Нижний новгород. 26-29 марта 2001, с. 81-84.

17. И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, С.В. Морозов, Д.О. Филатов, С.Б. Левичев, А.В. Здоровейщев. Фотоэлектронные свойства поверхностных слоев квантовых точек , поолученных газофазной эпитаксией. Нанофотоника. Материалы совещания. Нижний новгород. 26-29 марта 2001, с. 89-92.

Иллюстрация из статьи:

B N Zvonkov, I A Karpovich, N V Baidus, D O Filatov, S V Morozov and Yu Yu Gushina. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs Nanotechnology, 2000, 11, р. 221-226.  

была представлена на обложке специального выпуска журнала «Nanotechnology», издаваемого Кембриджским Институтом физики (Institute of Physics Publishing, Cambridge, UK).

Участие студентов и аспирантов в выполнении работы

По теме проекта выполнены:
2 квалификационные работы на соискание акад. степени бакалавра:
1. А.П. Горшков (студент 4 курса кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ФФ ННГУ) "Исследование фотоэлектрических спектров гетероструктур с поверхностными квантовыми точками InAs/GaAs". Руководитель - д.ф.-м.н., проф. И.А. Карпович.
2. С.Ю. Ермаков (студент 4 курса кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ФФ ННГУ) "Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник электролит: влияние напряжения смещения на спектры фоточувствительности ". Руководитель - д.ф.-м.н., проф. И.А. Карпович.
2 диссертационные работы на соискание акад. степени магистра:
1. А.В. Здоровейщев (студент магистратуры 2 года обучения кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ФФ ННГУ) " ". Руководитель - к.ф.-м.н. Н.В. Байдусь, старший научный сотрудник лаб. ЭТ, НИФТИ ННГУ.
2. С.Б. Левичев (аспирант 2 года обучения кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ФФ ННГУ) “Самоорганизованный рост гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми нитями методом МОС-гидридной эпитаксии и исследование их оптических и фотоэлектрических свойств”. Руководитель - к.ф.-м.н. Д.О. Филатов, ст. преп. кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ФФ ННГУ.
Выполняются 3 диссертационных работы на соискание ученой степени кандидата наук:
1. С.Б. Левичев (аспирант 2 года обучения кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ФФ ННГУ) " Изучение корпоративных эффектов в квантоворазмерных структурах ". Руководитель - д.ф.-м.н., проф. И.А. Карпович.
2. С.В. Морозов (аспирант 3 года обучения кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ФФ ННГУ) " ". Руководитель - д.ф.-м.н., проф. И.А. Карпович.
3. Е.Л. Шоболов (аспирант 3 года обучения кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ФФ ННГУ) "Исследование влияния водорода на фотоэлектронные свойства квантоворазмерных гетероструктур GaAs/InGaAs ". Руководитель - д.ф.-м.н., проф. И.А. Карпович.

Источники дополнительного финансирования

· Гранты Министерства образования РФ:
97-7.1-204
Е00-3.4-326
015.06.01.37
015.06.01.19 МНТП “ Университеты России – фундаментальные исследования ”
· Гранты Министерства науки РФ:
97-1089
99-1141
· Гранты РФФИ:
98-02-16688. Руководитель: Звонков Борис Николаевич.
00-02-17598 “ Исследование дефектообразования и водородной пассивации дефектов в напряженных квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InGaAs ”. Руководитель : Карпович Игорь Алексеевич.
01-02-. Руководитель: Звонков Борис Николаевич.
01-02-06370 “ дополнительное финансирование по проекту (00-02-17598) ”. Руководитель : Левичев Сергей Борисович.
01-02-06378 “ дополнительное финансирование по проекту (00-02-17598) ”. Руководитель : Филатов Дмитрий Олегович.
· Грант НАТО:
Sfp-973799
· Грант НОЦ СЗМ для молодых ученых:
"Исследование корпоративных эффектов при объединении слоев квантовой ямы и самоорганизованных квантовых точек в гетероструктурах GaAs/InGaAs". Руководитель:Морозов Сергей Вячеславович.

Призы и награды

1Студент А.П. Горшков получает стипендию Законодательного собрания Нижегородской области.
2Студенту А.П. Горшкову присуждена первая премия на (Н. Новгород, мая 2001) за доклад " Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник / электролит ".
3Аспиранту С.Б. Левичеву присужден диплом на второй Всероссийской научной молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (С.-Петербург, 4 - 8 декабря 2000) за доклад " Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник / электролит ".